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화학 증착 도금

화학 증착 (Chemical Vapor Deposition, CVD)

기체 상태의 화합물이 기판 표면에서 화학 반응을 일으켜 얇은 층을 형성하는 방법입니다.

CVD는 매우 얇고 균일한 코팅을 제공할 수 있어, 높은 정밀도와 품질이 요구되는 응용 분야에서 널리 사용됩니다.


설명: 화학 반응을 통해 기체 상태의 원료가 금속 표면에 증착되는 방법.
용도: 균일한 박막 형성, 고내열성 코팅.
예시: 실리콘 카바이드 코팅, 티타늄 카바이드 코팅.

 

1. 대기압 화학 증착 (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition, APCVD)

  • 일반적인 두께: 0.1 - 10 마이크론 (µm)
  • 특수 용도: 10 - 50 마이크론 (µm) (예: 태양광 패널의 투명 전도성 산화물 코팅)

특성

  • 높은 증착 속도
  • 비교적 간단한 장비
  • 대면적 기판에 적용 가능

사용 예

  • 반도체 제조: 실리콘 산화물, 실리콘 질화물
  • 태양광 패널: 투명 전도성 산화물 코팅

2. 저압 화학 증착 (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD)

  • 일반적인 두께: 0.1 - 5 마이크론 (µm)
  • 반도체 제조: 0.1 - 2 마이크론 (µm) (예: 다결정 실리콘, 질화 실리콘)

특성

  • 균일한 코팅
  • 높은 증착 품질
  • 낮은 증착 속도

사용 예

  • 반도체 제조: 다결정 실리콘, 질화 실리콘
  • MEMS 기기: 미세 기계 구조물

3. 플라즈마 강화 화학 증착 (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)

  • 일반적인 두께: 0.05 - 5 마이크론 (µm)
  • 반도체 제조 및 광통신: 0.1 - 2 마이크론 (µm) (예: 실리콘 산화물, 실리콘 카바이드)

특성

  • 낮은 온도에서 증착 가능
  • 고품질 박막
  • 높은 증착 속도

사용 예

  • 반도체 제조: 실리콘 산화물, 실리콘 카바이드
  • 광통신: 투명 산화물 코팅
  • 태양광 패널: 반사 방지 코팅

4. 금속유기 화학 증착 (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)

  • 일반적인 두께: 0.1 - 5 마이크론 (µm)
  • LED 및 반도체 제조: 0.1 - 3 마이크론 (µm) (예: 갈륨 나이트라이드, 인듐 나이트라이드)

특성

  • 복잡한 금속 산화물 및 질화물 증착
  • 정밀한 조성 제어
  • 고균일성

사용 예

  • LED 제조: 갈륨 나이트라이드, 인듐 나이트라이드
  • 반도체 제조: 고유전율 물질, 금속 산화물

5. 원자층 증착 (Atomic Layer Deposition, ALD)

  • 일반적인 두께: 0.001 - 0.1 마이크론 (1 - 100 나노미터, nm)
  • 나노기술 및 반도체 산업: 1 - 50 나노미터 (nm)

특성

  • 원자 단위로 층을 쌓아가는 방식으로 매우 얇고 균일한 코팅 가능
  • 고밀도 및 고균일성
  • 정밀한 두께 제어 가능

사용 예

  • 나노기술: 나노전자소자, 나노구조물
  • 반도체 산업: 얇은 절연층, 게이트 산화막
  • 에너지 저장: 배터리, 슈퍼커패시터

6. 화학 기상 침착 (Chemical Vapor Infiltration, CVI)

  • 일반적인 두께: 0.1 - 10 마이크론 (µm)
  • 복합 재료 강화: 5 - 50 마이크론 (µm) (예: 항공우주 산업의 복합 재료 강화)

특성

  • 기공이 많은 기판 내부로 물질을 침투시켜 코팅
  • 복합 재료의 강도 및 내구성 향상

사용 예

  • 항공우주 산업: 복합 재료 강화
  • 에너지 산업: 고온용 재료
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